日本物理学会第80回年次大会（2025年）

79: ホールドープされた表面モット絶縁体の欠陥およびドメインサイズ制御; 東京科学大理; 松原光陽, 根本諒平, 西道広海, 平原徹
80: 生分解性高分子PHB超薄膜の結晶化過程とPEG(ポリエチレングリコール)ブレンドによる効果; 関学大理工; 中島諒, 北徹平, 星川達哉, 高橋功
81: 導電性高分子P3HTと生分解性高分子PLLAの界面におけるPLLAの結晶化挙動; 関学大理工; 横野綾香, 北徹平, 星川達哉, 高橋功
82: Al-SiO系粒子の形態と構造に関する研究; 東北学院大; 藤田悠宇希, 五十嵐蓮尚, 大坪稔, 石井浩平, 鈴木仁志
83: CuCl_xBr_1-x混晶薄膜の成長基板選択と物性評価; 滋賀県大院工, 滋賀県大工^A; 上東大輝, 一宮正義^A, 番貴彦^A, 柳澤淳一^A
84: 4H-SiC (0001)の清浄化条件の違いによる表面極近傍のカソードルミネッセンスの変化; 奈良先端大; 井垣翔, 宮東賢太郎, 石原綾子, 大野智子, 小池徳貴, 武田さくら
85: π共役系分子の表面吸着による単結晶グラファイトの対称性の破れの解消; 分子研^A, 総研大^B; 下ヶ橋龍之介^A, 佐藤祐輔^{A, B}, 解良聡^{A, B}, 松井文彦^{A, B}
^●86: Challenging P-Type Contact via Nitrides; Dep. of Electrophysics NYCU, IAIS NYCU^A, Int'l. College of Semiconductor Tech. NYCU^B, CREDM TSMC^C; Ming-Xian Wang, Hui-Ting Liu^A, Yu-Che Huang^B, Wei-Tung Liu, Shu-Jui Chang^C, Chenming Hu^B, Chun-Liang Lin
^●87: Emergent Bands and Interfacial Hybridization in TiTe2 Films Coupled to Bulk-like Bi2Te3; Dept. of Phys., Nat'l. Central Univ.; Hsin-Hsien Chan, Ruei-Yu Wang, Han-Wei Tsai, Meng-Kai Lin
88: 走査トンネル顕微鏡を用いた高次アセン単一分子の電子状態および発光分光; 東大応化^A, 理研^B, 物材機構^C, 横市大生命ナノ^D, GIST^E, 京大化研^F; 望月香佳^{A, B}, 木村謙介^B, 林宏暢^C, 李民喜^{A, B}, 緒方里砂^{B, D}, 今田裕^{B, E}, 山田容子^F, 金有洙^{A, B, E}
89: 光STMを用いたC60分子膜における発光特性の構造依存性の研究; 理研^A, 横市大院生命ナノ^B, 東大院工^C, 横国大院理工^D, GIST^E, 芝浦工大^F, IBS-QCR^G; 緒方里砂^{A, B}, 木村謙介^A, 望月香佳^{A, C}, 片山郁文^D, 今田裕^{A, E}, 横山崇^B, 武田淳^{A, D, F}, 金有洙^{A, C, E, G}
90: 局所多探針法による鉄系プルシアンブルー類似体の結晶水に依存した電気伝導度測定; 山梨大工; NGUYEN NGUYEN TRUC, 馬場翔太郎, 吉田優介, 白木一郎
91: Si(111)上の(In, Mg)原子層合金の電子状態; 阪大院工; 黄辰, 井上涼太, 寺川成海, 坂本一之
92: Au(111)表面におけるBiナノリボン構造の電子状態; 広大理, 広大院先進理工^A, 広大放射光^B, 広大WPI-SKCM2^C, 広大半導体^D; 西本直史, 浅野友彦^A, 藤澤唯太^B, 角田一樹^B, 佐藤仁^B, 宮本幸治^B, 奥田太一^{B, C, D}
93: Ge(111)上におけるSb超構造の作製とその電子状態の研究; 早大先進理工^A, 佐賀大シンクロトロン^B, 東北大多元研^C; 大塚ほのか^A, Lars Konermann^A, 今村真幸^B, 高橋和敏^B, 高山あかり^{A, C}
94: 光電子運動量顕微鏡によるBi/Si(111)-βの電子状態の研究; 物材機構^A, 東理大理^B, 東理大先進工^C, 北大理^D, 東北大UDAC^E; 鶴田侑也^{A, B}, 津田俊輔^A, 竹澤伸吾^{A, C}, 陳毅濤^{A, D}, 一ノ倉聖^A, 永村直佳^{A, C}, 内橋隆^{A, D}, 西尾太一郎^B, 矢治光一郎^{A, E}
95: 三酸化モリブテンの振電相互作用のポテンシャル探索; 奈良先端大; 横山昂亮, 池田和司, 武田さくら
^●96: Electronic states in periodically strained graphene.; Kyushu Univ.; Anton Visikovskiy, Satoru Tanaka
^●97: In-plane and out-of-plane crystalline ordered sizes of HOPG surfaces with nanoscale roughness induced by Ar sputtering; Nara Inst. Sci. Technol., SANKEN, Osaka Univ.^A, Yonago Col.^B; Rivaldo Marsel Tumbelaka, Toya Fujiwara, Yoshihiro Kitagawa, Yuki Ida, Yasunari Kimoto, Kaito Matsue, Azusa N Hattori^A, Hiroki Momono^B, and Ken Hattori
98: TCNQ吸着によるSi(111)-quasi-5.5×5.5-In表面の熱破壊の抑制; 福岡大工; 鈴木孝将, 柳生数馬
99: アルゴン基板の作製と原子像観察; 東大新領域; 安井勇気, 杉本宜昭
100: Cu(531)表面のSTM観察; 東京学芸大, 阪大放射線^A, 東大生研^B, 原子力機構^C; 松本益明, 八木原七星, 宮下菜月, 熊谷優美菜, 岡田美智雄^A, 福谷克之^{B, C}
101: 人工的に設計した立体ファセットライン形状シリコン表面の走査トンネル顕微観察; 奈良先端大^A, 阪大産研^B, 阪大工^C; 松江海飛^A, 大橋尚稀^A, 西原晴通^A, 服部梓^B, 田中秀和^B, 藤大雪^C, 服部賢^A
102: 立体ファセットライン形状Si{111}7×7表面への酸化膜作製; 奈良先端大, 阪大産研^A, 阪大工^B, 米子高専^C; 大橋尚稀, 松江海飛, 西原晴道, 服部梓^A, 田中秀和^A, 藤大雪^B, 桃野浩樹^C, 服部賢
103: 超低温ヘリウム原子層観察の新手法としての表面X線回折; 高輝度セ, 兵庫県立大院理^A, 産総研^B, 東大低セ^C; 田尻寛男, 隈下敦貴^A, 小松慎之介^A, 山根悠^A, 宮坂茂樹^A, 宇佐美潤^B, 福山寛^C, 山口明^A
104: 超伝導Nb中に侵入した水素が示す量子現象の観測; 九大院工, 九大総理工^A, 岡山理科大^B; 太子周, 落合陽介, 芳賀雄仁, 志賀雅亘, 橋爪健一^A, 稲垣裕次^B, 河江達也
105: Bis-ジアザフェナレン分子の自己組織化の金属基板依存性; 横浜市大生命ナノ, 東京科学大理^A; 照内宏知, 横山崇, 鈴木啓朗^A, 芳賀正明^A, 河野正規^A
106: コバルトナフタロシアニン単一分子の探針増強ラマン分光研究; 東大工^A, 理研^B, IBS-QCR^C, GIST^D; 福住友希^{A, B}, Rafael Jaculbia^{B, C}, 今田裕^{B, C, D}, 木村謙介^B, 金有洙^{A, B, C, D}
107: PEEMによるSi(551)基板上のファセットナノ構造の研究; 東北大多元研, 東北大SRIS^A, 早稲田大理工^B; 福田旺土, テレングト雛子, 嶋田浩三, 山本孟, 高山あかり^A, 虻川匡司^B
108: 液体有機物表面の光分解ダイナミクス; 筑波大数理物質, 東大先進研^A; 沼舘直樹, 齊藤翔大^A, 西澤来紀^A, 江波進一, 羽馬哲也^A
109: Laser ablationによるCeCoIn₅のナノ粒子の作製とその評価; 金沢大物理^A, 金沢大機械^B, 名大工^C, 京大工^D; 宇佐見琉真^A, 高田洸^A, 二宮凛太朗^B, キムダソム^C, 高田尚記^C, 宮嶋陽司^B, 小畑由紀子^{A, D}, 吉田靖雄^A
110: 軟X線吸収分光法によるマグネシウム-ニッケル合金表面の研究; 九州シンクロトロン, 物構研^A, 大阪公立大^B; 小林英一, 阪東恭子^A, 吉岡聰^B
111: Si(110)表面におけるIn吸着構造の解析; 東北大多元研, 東北大SRIS^A; 田口碩人, リハクガン, 青山大晃, 山本孟, 虻川匡司^A
112: 密度汎関数法と古典溶液理論を組み合わせた固液界面計算手法の実装; 筑波大計算セ; 萩原聡, 大谷実
113: 第一原理計算による単層MoS₂における線空孔の形成と触媒活性に対する歪みの影響の解析; 北大院工; 清水裕士郎, 江上喜幸
114: グラフェンの折りたたみ過程におけるエネルギー地図; 京産大理; 内田和之
115: 遷移金属ダイカルコゲナイドヘテロ構造におけるカイラルフォノンの第一原理解析; 阪大基礎工, 阪大産研^A; 小俵亜紀, 南谷英美^A
116: 界面制御によるシリコン基板上の表面状態の変調; 東科大理^A, NIMS^B, ロシアISPMS^C, スペインDIPC^D; 高田竜之介^A, 秋山亮介^A, 石原和宜^A, 佐々木泰祐^B, 一ノ倉聖^{A, B}, S. V. Eremeev^C, E. V. Chukov^D, 平原徹^A
117: 角度分解光電子分光によるSb上Bi超薄膜の電子状態における膜厚依存性; 早大先進理工^A, 佐賀大シンクロトロン^B, 東北大多元研^C; 井上鈴那^A, 伊東隼志^A, 今村真幸^B, 高橋和敏^B, 高山あかり^{A, C}
118: Rashba型電子状態をもつBiのスピン輸送特性の研究; 早大先進理工^A, 東京理科大^B, 東北大多元研^C; 伊東隼志^A, 後藤穣^B, 高山あかり^{A, C}
119: 磁性金属における表面および界面異常ホール効果の第一原理計算; 金沢大NanoMaRi^A, 金沢大院自然^B; 石井史之^A, 盛島夢^B, 山口直也^A

領域別プログラム

ポスターセッション