日本物理学会第79回年次大会（2024年）

^●41: Design and performance of a molecular beam epitaxy system for ultrathin van der Waals film growth; Nat'l. Central Univ. (NCU); Han-Wei Tsai, Ruei-Yu Wang, Meng-Kai Lin
42: ファセット面方位選択による立体ライン形状シリコン表面上の異種薄膜作製; 奈良先端大, 阪大産研^A, 阪大工^B; 坪崎佳菜子, 木元康成, Mabarroh Ni'matil, 大橋尚稀, 松江海飛, 服部梓^A, 田中秀和^A, 藤大雪^B, 服部賢
43: CuCl薄膜の高結晶品質化に向けたSi基板上へのCaF₂バッファ層の作製と評価; 滋賀県大院工^A, 滋賀県大工^B; 金澤竜平^A, 一宮正義^B, 番貴彦^B, 柳澤淳一^B
44: Al-SiO₂系粒子の形態と構造に関する研究; 東北学院大工; 藤田悠宇希, 大坪稔, 石井浩平, 鈴木仁志
45: 機械学習による透過電子顕微鏡その場液中観察像のリアルタイム画像処理手法; 金沢大EMI, 北大ILTS^A, 京大ILAS^B, 北大WPI-ICReDD^C; 勝野弘康, 木村勇気^A, 山﨑智也^A, 瀧川一学^{B, C}
46: YbSb/GaSb(110)薄膜の作製と電子状態観測; 阪大理^A, 阪大生命^B, 分子研^C; 陳奕同^A, 中村拓人^{B, A}, 市川龍^A, 山口紘佳^A, 西原快人^A, 田中清尚^C, 木村真一^{B, A, C}
^●47: Coexistence of multi-phases on chromium borides binary crystal observed by photoemission spectroscopy.; ISSP, Univ. Tokyo^A, Kyushu Univ.^B; Yanze Guan^A, Xiaoni Zhang^A, Masashige Miyamoto^A, Yuki Tsujikawa^A, Kunio Yubuta^B, Masafumi Horio^A, Iwao Matsuda^A
48: Si(111)-r7xr3-In表面がモアレ超構造を作ったとき，APRESとSTM像はどうなるか?; 京産大理, QUEMIX^A, 東大理^B; 内田和之, 岩田潤一^A, 松下雄一郎^{A, B}
49: STMによる絶縁膜上の単一分子の吸着構造制御と発光エネルギーの選択的変調; 理研^A, 東大工^B, GIST^C, Univ. Ulsan^D; 南部大貴^{A, B}, 今田裕^A, Jong-Guk Ahn^C, Minhui Lee^B, 今井みやび^A, Xingmei Ouyang^A, 村中厚哉^A, Jaehoon Jung^D, Hyunseob Lim^C, 金有洙^{A, B}
50: Nb:SrTiO₃で生じる電子励起発光のアニール温度依存性; 奈良先端大; 堀江里茉, 井垣翔, 武田さくら, 伊藤大賀
51: 走査トンネル顕微鏡を用いたC60分子膜の発光測定; 横市大院生命, 理研, 東大院工, 横国大院理工; 緒方里砂, 木村謙介, 望月香佳, 片山郁文, 今田裕, 横山崇, 武田淳, 金有洙
52: 局所直流計測および交流計測によるプルシアンブルー類似体の湿度依存した電気伝導度評価; 山梨大工; 佐藤裕貴, 吉田優介, 白木一郎
53: 銅酸化物超伝導体Bi₂Sr_2-xCaCu₂O_8+δを用いたd波超伝導探針の作製; 金沢大物理, 北陸先端大^A, 筑波大数理物質^B; 下川貴也, 小畑由紀子, 安東秀^A, 柏木隆成^B, 吉田靖雄
54: 面内強磁場印加型の希釈冷凍機STMの開発; 金沢大物理^A, 金沢大総合技術^B, 東大物性研^C, 九大工^D; 佐藤魁和^A, 高橋駿哉^A, 前川洋輝^A, 小畑由紀子^A, 島村一利^B, 土師将裕^C, 長谷川幸雄^C, 河江達也^D, 吉田靖雄^A
55: SiC基板上に成長したエピタキシャルグラフェンの空間分解ARPESの主成分分析による分析; 佐賀大シンクロトロン; 今村真幸, 高橋和敏
56: SiC基板上バッファー層への水素インターカレーション初期状態の電子状態; 東大物性研, 九大院工^A, 東工大物質理工^B, 高エネ研^C; 飯盛拓嗣, 田中夏帆^A, 片野達貴^B, 加賀大暉^B, 小澤健一^C, 間瀬一彦^C, Anton Visikovskiy^A, 田中悟^A, 小森文夫^B, 中辻寛^B
57: Si(111)(√3×√3)-Sn表面の電子状態の基板依存性; 東工大理, 分子研UVSOR^A; 西道広海, 石原和宜, 田中清尚^A, 加来滋, 一ノ倉聖, 平原徹
58: 低温Ag(111)上平坦ハニカム型Biの2次元バンド構造; 佐賀大院理工, 佐賀大シンクロトロン^A; 池田晴人, 今村真幸^A, 山本勇^A, 東純平^A, 高橋和敏^A
^●59: Growth of (Bi, Pb) atomic layer structures on semiconductor substrates; Waseda Univ.^A, Synchrotron Light Application Center, Saga Univ.^B, IMRAM, Thohoku Univ.^C; L. Konermann^A, H. Abe^A, M. Imamura^B, K. Takahashi^B, A. Takayama^{A, C}
60: 窒化物超伝導体TiN薄膜における電子状態; 阪大院工, 佐大シンクロ^A, NICT^B; 樋口裕紀, 王子豪, 西岡知希, 山本翔太, 石川輝, 寺川成海, 山本勇^A, 寺井弘高^B, 坂本一之
61: ゲルマニウム表面における励起電子系の緩和過程と消滅過程; 阪公大工, 佐賀大シンクロトロン光応用研究センター^A, 東大総合文化^B; 中川智貴, 藤本晃広, ^○金崎順一, 山本勇^A, 東純平^A, 深津晋^B
^●62: Photoelectron spectroscopy from three-dimensional shaped materials: effect of geometry induced photo-reflection; Nara Inst. Sci. Technol., SANKEN, Osaka Univ.^A, Grad. Sch. of Eng. Osaka Univ.^B, UVSOR Synchrotron Fac., Inst. Mol. Sci.^C, Inst. Mech. Eng., Dalian Jiaotong Univ.^D; Ni' matil Mabarroh, Juharni, Yasunari Kimoto, Yoshihiro Kitagawa, Kanako Tsubosaki, Rivaldo M. Tumbelaka, Yuki Ida, Wataru Imayama, Liliany N. Pamasi, Haobang Yang, Yuya Sakai, Tomoya Shimizu, Azusa N. Hattori^A, Shin-ichiro Tanaka^A, Shigemasa Suga^A, Hidekazu Tanaka^A, Daisetsu Toh^B, Kiyohisa Tanaka^C, Runcheng Wang^D, Fangzhun Guo^D, Ken Hattori
63: 圧縮歪み導入Sr₂IrO₄薄膜への水素イオンビームによるキャリアドーピング; 京大院理, お茶大院理^A; 平田勧, 近松彰^A, 前里光彦, 北川宏
64: LaMnO₃薄膜の水素イオン照射による物性制御; 京大院理; 岩下修平, 平田進, 前里光彦, 北川宏
65: 非断熱第一原理分子動力学法に基づくシリコン−グラフェン界面における光誘起負性微分抵抗の発現機構; 熊大院自然, 熊大院先端^A, 南カリフォルニア大^B; 法橋陽, 伊藤海, 高良明英, 島村孝平^A, 下條冬樹^A, A. Nakano^B, R. K. Kalia^B, P. Vashishta^B
^●66: Electron confinement by pseudo-magnetic and pseudo-electric fields in periodically strained graphene; Kyushu Univ.; Anton Visikovskiy, Satoru Tanaka
67: 分子吸着したFeドープカーボンナノチューブにおける第一原理電子輸送特性研究; 北大院工; 岡田侑樹, 江上喜幸
68: 電界下のC₆₀の第一原理分子軌道計算; 筑波大数物; 熊谷大輝, 博多修也, 髙木博和, 石井宏幸, 山田洋一, 小林伸彦
69: 電子ドープしたグラフェン上Bi(110)超薄膜の角度分解光電子分光; 佐賀大シンクロトロン; 高橋和敏, 今村真幸, 山本勇, 東純平
70: Ir(111)での不純物炭素による表面構造の走査トンネル顕微鏡による測定; 東大新領域; 西田奎太, 安井勇気, 安達有輝, 杉本宜昭
71: Si(111)-quasi-5.5×5.5-In表面上の金属有機構造体; 福岡大工; 鈴木孝将, 柳生数馬
72: 水素化により黒色化したTiO₂(110)表面の陽電子消滅分光法による研究; 東京学芸大^A, 法政大マイクロ・ナノ研^B, 東大生研^C, 原子力機構^D, 産総研^E; 松本益明^A, 金沢育三^{A, B}, 福谷克之^{C, D}, 滿汐孝治^E, 大島永康^E
73: 超高真空プロセスによるSiO₂/SiC界面欠陥での単色発光; 東工大理; 宮川泰明, 一ノ倉聖, 平原徹
74: Nb-SNSジョセフソン接合に吸着あるいは侵入した水素が示す量子現象; 九大院工, 九大総理工^A; 太子周, 宮川一慶, 芳賀雄仁, 志賀雅亘, 橋爪健一^A, 河江達也
75: 蒸着量によって多様に変化するAu(111)表面上でのBis-ジアザフェナレン分子の自己組織化配列; 横浜市大生命ナノ, 東工大院理^A; 照内宏知, 横山崇, 鈴木啓朗^A, 芳賀正明^A, 河野正規^A
76: 走査トンネル顕微鏡によるモデル触媒分子1,10-フェナントロリンの研究; 金沢大物理, 金沢大総合技術^A, 北大触媒研^B, 九州大^C; 兼子裕矢, Erlina Tik Man, 小畑龍之介, Tzu-Yen Cheng, 小畑由紀子, 島村一利^A, 林田健志^B, 武安光太郎^B, 中村潤児^C, 吉田靖雄
77: STM発光分光法のためのプラズモン共鳴特性の自動制御; 東大工, 理研^A; 福住友希, Rafael Jaculbia^A, 今田裕^A, 金有洙^A
78: 軟X線吸収分光法と光電子分光法によるマグネシウム表面の自然酸化膜形成過程の研究; 九州シンクロトロン, 産総研^A; 小林英一, 阪東恭子^A
79: 真空低温条件下における小分子吸着系のラマン分光観測; 分子研^A, 総研大^B; 小山田伸明^A, ^○御領紫苑^A, 金成翔^{A, B}, 櫻井敦教^{A, B}, 杉本敏樹^{A, B}
80: グラフェン上に作製した銀ナノ粒子の光学特性; 京大院理; 奥山弘, 山本修也, 小川大樹, 八田振一郎, 有賀哲也
81: Al(111)表面におけるバイアス電位に依存した表面応力の第一原理計算; 筑波大計算セ, 産総研^A; 萩原聡, 石橋章司^A, 大谷実
82: 原子間力顕微鏡による宙づりグラフェンの局所陽極酸化; 熊大院自然, アンリツ先端研^A, 東北大通研^B, 熊大院先端^C, 熊大産ナノ研^D; 田中奎伍, 柿添勇成, 松井朋裕^A, 大塚朋廣^B, 原正大^{C, D}
83: 取　　消
84: パーシステントホモロジーを用いたアモルファスグラフェンの物性値予測; 阪大基礎工, 阪大産研^A; 山崎孝輔, 南谷英美^A
85: 単層MoS₂における線欠陥と曲げひずみによる電子状態変調に関する第一原理計算; 北大院工; 清水裕士郎, 江上喜幸
86: Ar⁺照射酸化チタンナノシートの欠陥誘起磁性; 熊大院自然, 長岡技科大^A, 東大物性研^B, 広大放射光^C, 東京工科大^D, 熊大院先端^E, 熊大産ナノ研^F; 黒木玲央, 船津麻美^A, 山内徹^B, 橋本義昭^B, 遠藤彰^B, 沢田正博^C, 市井智裕^D, 原賢二^D, 原正大^{E, F}
^●87: Localization of topological surface/interface state in TiTe2/Bi2Te3 heterostructure; Nat'l. Central Univ. (NCU); Ruei-Yu Wang, Han-Wei Tsai, Meng-Kai Lin
88: SnTe薄膜へのMnインターカレートによる真性磁性トポロジカル絶縁体作製の試み; 東工大理; 福島祥紘, 秋山亮介, 中村達哉, 一ノ倉聖, 平原徹
89: トポロジカル超伝導体Fe(Se,Te)薄片への軽元素修飾による影響; 東大理, 東大低温セ^A, 弘前大理工^B; 清水翔太, 秋山了太, 保原麗, 藤井武則^A, 上薗優^B, 大塚匠^B, 渡辺孝夫^B, 長谷川修司
90: 原子レベルで平坦で対称性の低いSi(15 17 3)表面の研究; 東北大多元研, 東北大SRIS^A, 東北大院理^B; テレングト雛子, 李博譞, 虻川匡司^A, 芳賀健也^B

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ポスターセッション