日本物理学会第77回年次大会（2022年）

^●1: Growth and transport property of copper selenide compound thin films; Univ. of Tokyo; SP. Liu, T. Takashiro, YX. Guo, R. Hobara, R. Akiyama and S. Hasegawa
2: Mn-Si系，Mn-SiO₂系粒子の形態と構造に関する研究; 東北学院大工; 鈴木仁志, 小林唯輝, 池田直人, 川村康平
3: 超高濃度溶液中でのグルコースイソメラーゼ結晶の成長; 徳島大院; 池光直人, 鈴木良尚
4: 氷結晶における単位渦巻きステップの成長カイネティクス; 北大低温研; 宮本玄樹, 村田憲一郎, 長嶋剣, 香内晃, 佐﨑元
^●5: 取　　消
^●6: N2 fixation on B doped g-C9N10: thermodynamic and kinetic analysis; Osaka Univ., Northeast Normal Univ.^A; Yuelin Wang, Thanh Ngoc Pham, Yoshitada Morikawa*, Likai Yan*^A
7: Bi(110)超薄膜の異方的ディラック状態; 佐賀大SLセ; 高橋和敏, 今村真幸, 山本勇, 東純平
8: 試料制御ステージの電動化によるグラフェンの空間分布の可視化; 佐賀大シンクロトロン; 今村真幸, 長山佑哉, 高橋和敏
9: 取　　消
10: レーザー照射下におけるAlq₃薄膜の光電子スペクトル; 佐賀大SLセ; 山本勇, 井川雄喜, 東純平, 今村真幸, 高橋和敏
11: Si(111)上の(In, Mg)超薄膜の構造と電子状態：準自立2原子層金属の形成; 京大院理; 寺川成海, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
12: 取　　消
13: van der Waals密度汎関数法による金属(111)表面上直鎖炭化水素の吸着構造および界面状態の数値的研究; 阪大院工; 嶋田峻命, 木村大宏, 濱本雄治, 稲垣耕司, 濱田幾太郎, 森川良忠
14: Substrate-induced Broken C₄ Symmetry and Gap Variation in Superconducting Single-layer FeSe/SrTiO₃ - √13×√13; 東工大理物; 司文, 田中友晃, 一ノ倉聖, 平原徹
15: 第一原理計算による金属-TiO₂界面の構造と電子状態の研究; 熊大院自然, 熊大院先端^A, 長岡技科大^B; 秋好佑亮, 吉次大地, 高良明英, 島村孝平^A, 原正大^A, 船津麻美^B, 下條冬樹^A
16: Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態における基板依存性; 東工大物質理工, 東工大理^A, 東大物性研^B; 大内拓実, 長尾俊祐, 中村玲雄, 竹村晃一, 志村舞望^A, 潮田亮太^A, 飯盛拓嗣^B, 小森文夫, 平山博之^A, 中辻寛
17: レーザー切断により調製したMoS₂エッジ面の分光学的研究; 東大物性研; 尾崎文彦, 谷峻太郎, 田中駿介, 長田渉, 篠原琢朗, 向井孝三, 小林洋平, 吉信淳
18: Ag(111)-Bi表面上への水素吸着; 生産研, 原研^A; 石﨑雄士, ^○中津裕貴, 小澤孝拓, 福谷克之^A
19: 磁性トポロジカル絶縁体サンドイッチ構造の電子状態と磁化特性 Ⅱ; 東工大理, JAEA-SPring-8^A, 分子研UVSOR^B; 福嶋隆司朗, 角田一樹^A, 竹田幸治^A, 田中清尚^B, 石原和宜, 一ノ倉聖, 平原徹
^●20: Al₂O₃/ダイヤモンド界面の第一原理計算; 金沢大自然, 金沢大NanoMaRi^A; 張耀棠, 山口直也^A, 張旭芳^A, 徳田規夫^A, 石井史之^A
21: 表面ウルマン反応によって得られる有機金属薄膜における原子分子の吸着構造; 群馬高専, 東大物性研^A; 塚原規志, 吉信淳^A
22: Si(111)-5.x×5.x-In表面のSTM観察; 福岡大工; 鈴木孝将, 柳生数馬
23: ニューラルネットワークポテンシャルを用いたジルコニウム酸窒化物の水分子吸着構造解析; 山形大理; 中西章尊, 笠松秀輔
24: オペランド雰囲気軟X線光電子分光によるPt(997)表面におけるメタンのドライリフォーミングの研究; 東大物性研, 分子研^A, 東北大SRIS^B; 崔永賢, 李鴻宇, 尾崎文彦, 篠原琢朗, 小板谷貴典^A, 山本達^B, 堀尾眞史, 松田巌, 向井孝三, 田中駿介, 吉信淳
25: In蒸着中に出現するSi(111)表面振動型相転移の低温領域でのRHEED観察; 奈良先端科学技術大学院大; 田村隆朗, 武田さくら
26: スルホン酸がグラフェン担持白金単原子の安定性に与える影響; 北大院工; 國貞雄治, 坂口紀史
27: 取　　消
^●28: The Elucidation of Cu-Zn Surface Alloying on Cu(111) by Machine-Learning Molecular Dynamics; Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.; Harry Handoko HALIM, Yoshitada MORIKAWA
29: 銅表面上の一酸化炭素分子の分子操作おけるダイナミクスと摩擦; 金沢大理工, DIPC^A, IKERBASQUE^B, Univ. of Regensburg^C; 岡林則夫, Thomas Frederiksen^{A, B}, Alexander Leibig^C, Franz J. Giessibl^C
^●30: Tight-binding analysis of borophene band structure; Univ. of Tokyo; Heming Yin, Yusuke Sato, Tetsuya Wada, Masafumi Horio, Iwao Matsuda
31: モリブデン表面上での単相ホウ素薄膜の成長; 九大総理工; 彭冠嵩, Shahadat Hossain, 中川剛志
32: Pt(111)上のCePt₂単原子層の成長と電子状態; 東大物性研^A, 東工大理^B, KAIST^C, 名大未来研^D, 東大生産研^E; 家永紘一郎^{A, B}, 金聖憲^{A, C}, 宮町俊生^{A, D}, 加藤弘一^E, ^○小森文夫^{A, E}
33: SiC基板上の1度以下のツイスト2層グラフェンの電子状態; 東大物性研, 九大院工^A, 名大未来研^B, 東工大総理工^C, 高エネ研^D; 飯盛拓嗣, 今村均^A, 宮町俊生^B, 中辻寛^C, 北村未歩^D, 堀場弘司^D, 間瀬一彦^D, Visikovskiy Anton^A, 田中悟^A, 小森文夫
34: AT-cut水晶振動子を利用したC₆₀単結晶のナノ滑り摩擦III; 電通大基盤理工, 愛教大物理^A; 伊師芳和, 鈴木勝, 谷口淳子, 佐々木成朗, 石川誠^A, 三浦浩治^A
35: 取　　消
36: 取　　消

領域別プログラム

ポスターセッション