日本物理学会2026年春季大会

1: Ag-半導体系合金の弾性スティフネスの第一原理計算; 芝浦工大; 吉岡未樹央ウィリアム, 弓野健太郎
2: Ag(111)表面上のCsBr超薄膜の作製と構造解明; 名大工; 坪井孝太, 柚原淳司
3: Ge(111)√3×√3-Au基板上のBi超薄膜の表面構造; 科学大物質理工, 科学大理^A; 神原正延, 金子真大, 平山博之^A, 中辻寬
4: 沈殿剤フリー条件下におけるグルコースイソメラーゼの大型単結晶の育成と常温X線結晶構造解析; 徳島大; 柿本大貴, 鈴木良尚
5: 生理食塩水中でのlysozyne正方晶系結晶の結晶化と構造解析; 徳島大; 吉田翔, 鈴木良尚
6: Si(111)表面上のBi₂Se₃による不活性界面および単層膜の形成; 京大院理; 八田振一郎, 中村海斗, 奥山弘
7: 酸素サーファクタントを用いてCu(001)表面上に作製したFe薄膜への水素暴露が及ぼす影響; 科学大物質理工, 科学大理^A; 大島尚樹, 河添理央, 木村彰博, 平山博之^A, 中辻寬
8: 電気化学的手法を用いたプルシアンブルーの結晶成長観察とイオン吸着特性評価; 都市大理工, 都市大総合研^A, 科学大総合研^B; 與古田葵京, 今橋天路, 糸井充穂, 深井佳乃, 藤田博之^A, 石田忠^B, 筒井隆司^B
9: 2次元超伝導体NbTe₂における格子歪みが超伝導と2つの電荷密度波に及ぼす影響; 金沢大物理, 京大工^A, 金沢大総合技術^B, 金沢大保健^C; 下川貴也, 小畑由紀子^A, 兼子裕矢, 高田洸, 佐藤魁和, 牧野隼士, 島村一利^B, 岡本博之^C, 小幡正雄, 小田竜樹, 大橋政司, 吉田靖雄
10: パルス原子間力顕微鏡による半導体電荷トラップ緩和時間評価法; 東大工, 東大新領域^A; 大橋瑞輝, 重野智宏^A, 小野孝浩^A, 安井勇気^A, 内田雄太郎^A, 喜多浩之^A, 杉本宜昭^A
11: グラフェン上に成長したセキシチオフェン薄膜の構造と電子状態; 横国大院理工, 佐賀大シンクロトロン^A; 岡田倫志郎, 飯島涼太, 高橋和敏^A, 大野真也
12: 放射光運動量顕微鏡を用いた単結晶グラファイト表面二次電子ネガパターンの観測; 分子研^A, 総研大^B; 佐藤祐輔^{A, B}, 染井裕貴^B, 松井文彦^{A, B}
13: NドープTiO₂ナノチューブの電子構造計算; 岩手大理工; 若松利空, 松川倫明, 長谷川正之, 西館数芽
14: 第一原理分子動力学法によるグラファイト表面上のCO分子脱離反応の酸素被覆率依存性; 南カリフォルニア大学^A, 熊大院自然^B, 熊大院先端^C; 伊藤海^{A, B}, 島村孝平^C, 下條冬樹^C, Aiichiro Nakano^A, Ken-ichi Nomura^A, Rajiv K. Kalia^A, Priya Vashishta^A
15: 超伝導体中に侵入した水素が示す量子現象の観測; 九大院工, 九大総理工^A, 岡山理科大^B, 九大院理^C; 太子周, 亀山拓実, 落合陽介, 加藤遼馬, 志賀雅亘, 橋爪健一^A, 稲垣裕次^B, 飯森陸^C, 木村崇^C, 河江達也
16: 超短パルスレーザー加工により作製したグラファイトエッジ表面の電子状態・化学反応性：放射光X線光電子分光，X線吸収分光，及びDFT計算による研究; 東大物性研, 理研^A, 東北大SRIS^B, 東北大多元研^C, 高エネ研^D; 梅山裕史, 谷峻太郎^A, 尾崎文彦, 蕭維志, 阪口佳子, 向井孝三, 飯盛拓嗣, 田中駿介, 山本達^{B, C}, 小澤健一^D, 福田将大, 尾崎泰助, 吉信淳
17: アルミニウム表面へのビスフェノールA分子吸着に関する第一原理解析; 福工大院工; 進藤大暉, 三澤賢明
18: 溶液中のLi₂MnO₃(0-10)面からのMn溶出に対するF^-の影響：溶媒和効果と電子的起源; 産総研; 橋本保, 中農浩史, 中村恒夫, 宮崎剛英
19: 二次元層状半導体上のセキシチオフェン薄膜の成長過程とナノパターン形成; 横国大院理工; 銭淳, 大段颯馬, 飯島涼太, 塚本威吹, 藤田凌太, 大野真也
20: ヤヌス型TMDの面内ヘテロ構造における電子状態; 福工大院工; 丸山稜太, 三澤賢明

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ポスターセッション