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領域別プログラム

領域9

23日 J1会場　23pJ1　13:30〜17:15

領域9，領域1，領域3，領域5，領域10
ダイヤモンド研究の最前線-基礎物性から応用まで-

1: （一般シンポジウム講演）企画説明　（5分）; 福岡大工; 柳生数馬
2: （一般シンポジウム講演）超高真空原子間力顕微鏡によるダイヤモンドの原子レベル分析　（25分）; 東大新領域; 杉本宜昭
3: （一般シンポジウム講演）ダイヤモンドのドーパントの原子配列と，絶縁膜界面の原子配列　（25分）; 奈良先端大; 松下智裕
4: （一般シンポジウム講演）ダイヤモンドにおける励起子複合体　（25分）; 京大院理; 中暢子

休憩　（14:50〜15:05)

5: （一般シンポジウム講演）ダイヤモンド量子スピン顕微鏡による物性研究　（25分）; 東大理; 小林研介
6: （一般シンポジウム講演）ナノダイヤモンドを用いた量子センシング　（25分）; 岡山大理; 藤原正澄
7: （一般シンポジウム講演）ダイヤモンドエピタキシャル成長及び表面・界面制御技術とデバイス応用　（25分）; 金沢大ダイヤ; 徳田規夫
8: （一般シンポジウム講演）原子力を中心としたダイヤモンドの半導体検出器及び半導体デバイス応用　（25分）; 北大工; 金子純一
9: （招待講演）ダイヤモンド半導体の研究：基礎から宇宙応用を目指したMOSFET作製まで　（30分）; 佐大ダイヤモンド半導体セ, （株）ダイヤモンドセミコン; 嘉数誠

24日 J1会場　24aJ1　9:20〜12:15

領域9（6番目のみ領域4，領域8と合同）
領域9　日本物理学会若手奨励賞受賞記念講演

1: （若手奨励賞）若手奨励賞選考報告および授賞式　（10分）; 金大, メディア; 佐藤正英
2: （若手奨励賞）分子レベルでの結晶成長過程を捉える電子顕微鏡定量解析　（30分）; 東大, 総括プロジェクト; 中室貴幸
3: （若手奨励賞）超短パルスレーザーを用いた表面・界面の振動ダイナミクスの実験的研究　（30分）; 産総研; 田中駿介

休憩　（10:30〜10:45)

4: Bi(1!LaTeX$\bar{1}$0)表面の高分解能ARPES　（15分）; 東北大院理^A, 東北大AIMR^B, JSTさきがけ^C, 東北大CSIS^D, 東北大SRIS^E, 東北大MathCCS^F; 山本大幹^A, 中山耕輔^A, 左右田颯^A, 鈴木崇人^A, 森田雄晴^A, 八重樫鍵^A, 菅原克明^{A, B, C}, 高橋隆^A, 佐藤宇史^{A, B, D, E, F}
5: RuO₂表面におけるトポロジカル電子状態の観測：マイクロARPES　（15分）; 東北大院理^A, 大阪大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C, 東北大CSIS^D, 豊田理研-京大連携拠点^E, インド工科大^F, 高エ研物構研^G, 量研機構^H, 東北大多元研^I, SOLEIL^J, 東北大SRIS^K, 東北大MathCCS^L; 大隅拓海^A, 山内邦彦^B, 相馬清吾^{C, D}, S. Paul^{E, F}, 本間飛鳥^A, 中山耕輔^A, 小澤健一^G, 北村未歩^H, 堀場弘司^H, 組頭広志^I, C. Bigi^J, F. Bertran^J, 小口多美夫^B, 高橋隆^A, 前野悦輝^E, 佐藤宇史^{A, C, D, K, L}
6: マイクロARPESで明らかにしたNdX_P (X_P = Bi, Sb, As)の反強磁性秩序由来の表面状態　（15分）; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSIS^C, 阪大CSRN^D, ケルン大^E, 高エ研物構研^F, 量研機構^G, 東北大多元研^H, 東北大SRIS^I, 東北大MathCCS^J; 本間飛鳥^A, 相馬清吾^{B, C}, 山内邦彦^D, Yongjiang Wang^E, 中山耕輔^A, 小澤健一^F, 北村未歩^G, 堀場弘司^G, 志賀大亮^H, 組頭広志^H, 小口多美夫^D, 高橋隆^A, 安藤陽一^E, 佐藤宇史^{A, B, C, I, J}
7: Sb(111)基板上における1-BL Bi超薄膜の電子状態の励起光依存性　（15分）; 早大先進理工^A, 佐賀大シンクロトロン^B, 東北大多元研^C; 井上鈴那^A, 伊東隼志^A, 今村真幸^B, 高橋和敏^B, 高山あかり^{A, C}
8: ARPESによる原子状水素曝露したBi₂Se₃の電子構造の観察　（15分）; 東大生研^A, 原子力機構先端研^B; 大橋悠生^A, Muhammad Irfandi^A, 小澤考拓^A, 福谷克之^{A, B}
^●9: Electronic Structure Modification of BiAg₂/Ag(111) by Atomic Hydrogen Adsorption　（15分）; Univ. of Tokyo, JAEA^A; Muhammad Irfandi, Shunsuke Izu, Koichi Kato, Takahiro Ozawa, Seiya Suzuki^A, Katsuyuki Fukutani^A

24日 J1会場　24pJ1　13:30〜16:30

領域9
電子物性

^●1: Observation of Charge Density Wave in Li-intercalated Bilayer Graphene　（15分）; 東大物性研, 国立中山大学理物^A, 東大理物^B; 司文, 白宴丞^A, 清水翔太^B, 土師将裕, 保原麗^B, 秋山了太^B, 長谷川修司^B, 長谷川幸雄
2: Bi処理GaAs(111)基板上のBi(110)薄膜における高分解能ARPES　（15分）; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, JST-さきがけ^C, 東北大CSIS^D, 東北大SRIS^E, 東北大MathCCS^F; 八重樫健^A, 菅原克明^{A, B, C}, 高橋隆^A, 佐藤宇史^{A, B, D, E, F}
3: 金属修飾グラフェンにおける電子状態と電気伝導特性　（15分）; 早大先進理工^A, 佐賀大SLセ^B, 東北大多元研^C; 伊東隼志^A, 鰀貴友康^A, 秀嶋彩^A, 今村真幸^B, 高橋和敏^B, 高山あかり^{A, C}
4: SiC(0001)基板上に成長したグラフェンへのFeインターカレーションにおける原子構造と電子状態　（15分）; 科学大物質理工, 東大物性研^A, 高エ研物構研^B, 科学大理^C; 加賀大暉, 竹村晃一, 片野達貴, 大関健斗, 飯盛拓嗣^A, 小森文夫, 小澤健一^B, 間瀬一彦^B, 平山博之^C, 中辻寛
5: Si(001)c(4x2)およびSi(111)(7x7)表面のL_2,3端X線吸収スペクトル：表面状態間遷移の研究　（15分）; 阪大産研, 分子研UVSOR^A, 奈良先端大^B; 田中慎一郎, 菅滋正, 田中清尚^A, トゥンベラカマルセルリヴァルド^B, 藤原等於哉^B, 西原晴通^B, 服部賢^B
6: Si(111)上のPb単原子層薄膜における表面状態の第一原理計算　（15分）; 東大物性研; 永田利行, 土師将裕, 岡崎淳哉, 福田将大, 尾崎泰助, 長谷川幸雄

休憩　（15:00〜15:15)

7: 単層g-C3N4の仕事関数における第一原理計算：ESM法による高精度化とCO2吸着への応用　（15分）; アドバンスソフト; 胡春平, 岡崎一行, 原田昌紀
8: 第一原理計算によるチタニアナノシートのプロトン透過機構の解明　（15分）; 熊大院自然, 熊大院先端^A; 山内一晟, 原正大^A, 高良明英, 島村孝平^A, 下條冬樹^A
9: フラーレンナノウィスカーを用いたFET型ガスセンサーの作製　（15分）; ナノアロイテクノロジー^A, NIMS^B, 東理大^C; 宮澤薫一^{A, B, C}, 若原孝次^B, 田中優実^C
10: Coexistence of Weak Antilocalization and Kondo Scattering in Low-Temperature Transport of a γ-Al₂O₃/SrTiO₃ Two-Dimensional Electron Gas　（15分）; 東大物性研; Jiwon Yang, Akira Endo, Tomoaki Tanaka, Mikk Lippmaa
^●11: 表面原子層超伝導体における異方的ジョセフソンボルテックス液体　（15分）; 物材研^A, 北大理^B; Wenxuan QIAN^{A, B}, 吉澤俊介^A, 内橋隆^{A, B}

25日 J1会場　25aJ1　9:30〜12:00

領域9（8番目のみ計算物理領域と合同）
構造物性・原子層物質科学・トライボロジー

1: 多孔性有機金属薄膜を利用した1,3,5-トリフェニルベンゼン分子の孤立化と吸着構造　（15分）; 群馬高専, 東大物性研^A; 塚原規志, 吉信淳^A
2: STM/STSによるお椀型分子スマネンの電子状態観測　（15分）; 兵庫県立大院理, 兵庫県立大理^A; 相賀則宏, 木村亮雅, 荻野励哉^A, 竹内佐年
3: Si(111)面上への鉛吸着で形成される六方不整合(HIC)相の構造モデル　（15分）; 東大物性研; 山田正理, 佐藤優大, 土師将裕, 長谷川幸雄
4: カイラルな高指数Si表面のRHEEDおよびSTMによる研究　（15分）; 東北大多元研^A, 東北大院理^B, 東北大SRIS^C; テレングト雛子^A, 李博譞^A, 芳賀健也^B, 虻川匡司^{A, C}

休憩　（10:30〜10:45)

5: 白金水素化物の低温合成とその場構造解析　（15分）; 東大生研^A, 原子力機構先端研^B; 小澤孝拓^A, S. S. DAS^A, 福谷克之^{A, B}
6: 二次元材料の多角的プローブに向けたインクジェット銀ナノインクAFM探針の開発　（15分）; チュラロンコン大学^A, 物材機構^B; Curtis McDowell^A, 岩崎拓哉^B, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 岩切秀一^B
7: 角度分解光電子分光によるSb/Ge(111)表面超構造の電子状態の偏光依存性　（15分）; 早大先進理工^A, 佐賀大シンクロトロン^B, 高エネ機構物構研^C, 東北大多元研^D; 大塚ほのか^A, Lars Konermann^A, 今村真幸^B, 高橋和敏^B, 小澤健一^C, 間瀬一彦^C, 高山あかり^{A, D}
^●8: Ab initio study of the impact of Se vacancies on Nb-doping of WSe2　（15分）; Univ. of Tokyo, NIMS^A; Anh Khoa Augustin Lu^A, Kaito Kanahashi, Kosuke Nagashio, Satoshi Watanabe
9: ナノ摩擦におけるスティックスリップ転移の相図：臨界パラメータの走査経路依存性　（15分）; 電通大基盤理工; 妹尾駿, 佐々木成朗

25日 J1会場　25pJ1　13:30〜15:30

領域9（1番目招待講演のみ領域11，領域12と合同，6番目のみ領域3と合同）
結晶成長・表面界面磁性・ダイナミクス

1: （招待講演）コロイド結晶の成長ダイナミクスと構造制御　（30分）; 東北大学金属材料研究所; 野澤純
2: 結合形成から切断までの待ち時間によって決まるポリスチレン粒子クラスターの安定性　（15分）; 徳島大, 金沢大EMI^A; 鈴木良尚, 佐藤正英^A, 勝野弘康^A
3: KPZ-likeカイネティック・ラフ領域の表面傾斜依存性：カイネティック・ラフニング・ダイヤグラム2　（15分）; 九大応力研; 阿久津典子, 寒川義裕
4: KPZ-likeカイネティック・ラフにおけるサブクラス：表面高さの差分布関数の歪度と尖度　（15分）; 九大応力研; 阿久津典子, 寒川義裕
5: 強磁性体表面のスピン偏極電子状態を用いた光電子運動量のスピン回転器とスピンフィルターの評価　（15分）; 分子研UVSOR^A, 総研大^B, 阪大産研^C; 松井文彦^{A, B}, 佐藤祐輔^{A, B}, 菅滋正^C, 田中慎一郎^C
6: 原子間力顕微鏡を用いたホルニウム単原子スピンの検出と制御　（15分）; 東大新領域; 安達有輝, 上田和樹, 安井勇気, 杉本宜昭
7: 超高速赤外ナノイメージングによる低次元物質におけるキャリア輸送過程の解明　（15分）; 分子研^A, 総研大^B, 東京科学大^C; 西田純^{A, B}, 篠北啓介^{A, B}, 笹川崇男^C, 熊谷崇^{A, B}

26日 J1会場　26aJ1　9:30〜11:30

領域9
表面物理化学

1: エネルギー制御Arプラズマにより構造制御を行ったグラフェンのPEEM観察　（15分）; 東北大多元研^A, 有明高専^B, 東北大SRIS^C; 福田旺土^A, 鷹林将^B, 虻川匡司^{A, C}
2: 原子層物質中の双極性ポラリトンにおける非局所光学応答効果　（15分）; 韓国基礎科学研究院^A, 理研^B, 光州科技大^C, 東大工^D; 三輪邦之^{A, B}, 金有洙^{A, B, C, D}
3: 軽元素置換グラフェン上金属単原子触媒の構造安定性とギ酸脱水素化活性　（15分）; 北大院工; 國貞雄治, 佐藤和磨, 坂口紀史
4: 機械学習を用いたハイエントロピー合金ナノ粒子触媒の組成最適化手法の開発　（15分）; 東大工^A, 産総研^B, 物材機構^C; 大塚耕希^A, 清水康司^B, Anh Khoa Augustin Lu^{A, C}, ^○渡邉聡^A

休憩　（10:30〜10:45)

5: B/Cu(111)上におけるCO₂の活性化　（15分）; 京大理, 慶應理工^A, 東大物性研^B; 安村洋輝, 辻川夕貴^A, 堀尾眞史^B, 松田巌^B, 長塚直樹, 渡邊一也, 小板谷貴典
6: Pt/Co/Pt(100)表面におけるスピンに依存したO₂吸着　（15分）; 物材機構; 倉橋光紀
7: Ni薄膜における水素引き抜き反応のスピン依存性　（15分）; 東大生研^A, 原子力機構^C; 渡邉楓花^A, 植田寛和^C, 小澤孝拓^A, 福谷克之^{A, C}