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領域別プログラム

領域9

22日 J1会場　22aJ1　9:15〜12:30

領域9（7番目招待講演のみ領域2，領域5と合同）
電子物性・表面物理化学

1: 雰囲気光電子分光を用いたMoS₂基底面における硫黄欠陥生成機構の研究; 東大物性研, 東大情基セ^A, 京大理^B, 東北大SRIS^C; 尾崎文彦, 田中駿介, 崔永賢, 向井孝三, 河村光晶^A, 福田将大, 堀尾眞史, 小板谷貴典^B, 山本達^C, 松田巌, 尾崎泰助, 吉信淳
^●2: Photoelectron Momentum Microscope 1.0 upgraded to 2.0 at UVSOR for characterization of surface electronic and spin structures; IMS UVSOR, SOKENDAI^A, Osaka Univ. SANKEN^B; Fumihiko Matsui^A, Kenta Hagiwara, Hiroyuki Matsuda, Yasuaki Okano, Takayuki Yano, Eiken Nakamura, Satoshi Kera^A, Shigemasa Suga^B, Shin-ichiro Tanaka^B
^●3: Investigation of Electronic Structure Modification of Rutile TiO₂(100) by Hydrogen Ion Irradiation; The Univ. of Tokyo^A, Kyoto Univ.^B, Japan Atomic Energy Agency^C; Muhammad Irfandi^A, Takahiro Ozawa^A, GyeongCheol Lim^B, Mitsuhiko Maesato^B, Katsuyuki Fukutani^{A, C}
^●4: Surface Electronic Properties of Cu₂SnS₃ using Density Functional Theory; Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech.; Rohit Dahule, Kenta Hongo, Ryo Maezono
5: Fe(001)-p(1×1)O基板上MgO島成長と単原子分子状態のSTM/STS観察; 千葉大院工; 山田豊和, Nana Nazriq, Peter Krüger
6: 大規模DFT計算と機械学習による金属ナノ粒子-担体界面の構造および電子状態解析; 物材機構, 筑波大シス情^A; 中田彩子, 李盛洲^A, 宮崎剛

休憩　（10:45〜11:00)

7: （招待講演）X線自由電子レーザーを利用したフェムト秒時間分解X線計測とその応用; JASRI; 片山哲夫
8: 水素透過PdCu膜リアクターを利用した水素化反応の研究; 東大物性研; 篠原琢朗, 長田渉, 向井孝三, 田中駿介, ^○吉信淳
9: ニッケル表面での水素原子の表面反応におけるスピン効果; 原研先端基礎研^A, 東大生研^B, 山东大^C; 植田寛和^A, 大橋悠生^B, 石崎雄士^B, 孙振东^C, 小澤孝拓^B, 福谷克之^{A, B}
10: 経路積分に基づいた金属表面水素のダイナミクス; 東大理, 物性研; 片岡佑太, 春山潤, 杉野修
11: ダブルペロブスカイト表面における水のダイナミクス; 岩手大理工, NIMS^A; 西館数芽, 佐藤創, 松川倫明, 谷口晴香, 松下明行^A, 長谷川正之

23日 J1会場　23aJ1　9:00〜12:15

領域9（1番目招待講演のみ領域7，領域10，領域12と合同）
結晶成長

1: （招待講演）原子分解能での核生成・結晶成長プロセスのその場観察; 東京大学大学院総括プロジェクト機構; 中室貴幸
2: 鉄の高過飽和蒸気からの均質核生成過程の分子動力学シミュレーション; 東北大理, 北大低温研^A; 田中今日子, 木村勇気^A
3: 高精製グルコースイソメラーゼ結晶のステップ前進速度に及ぼす重力の影響; 徳島大院, AES^A, JSF^B, 丸和栄養食品^C, JAMSS^D, JAXA^E, 阪大院工^F; 鈴木良尚, 二宮愛, 福山誠二郎^A, 島岡太郎^B, 永井正恵^B, 伊中浩治^C, 栁谷伸一郎, 曽根武彦^D, 和知慎吾^D, 川口聡^D, 荒井康智^E, 塚本勝男^F
4: 表面合成したヘキサフェニルベンゼン一次元鎖のヘテロキラルな自己組織化; 横市大理; 大江弘晃, 横山崇
5: Ag(111)-Bi表面上へのスピン偏極水素原子照射; 東大生研, 原子力機構先端研^A; 石﨑雄士, 小澤孝拓, 植田寛和^A, 福谷克之

休憩　（10:30〜10:45)

6: 走査プローブ顕微鏡によるAg(111)上の酸素分子単層膜の格子歪みの解析; 東大新領域; 木村光男, ^○杉本宜昭
7: 有機金属薄膜を利用した金属表面上における金属クラスター成長; 群馬高専, NIMS-MANA^A, 東大物性研^B; 塚原規志, 荒船竜一^A, 吉信淳^B
^●8: Molecular dynamics study on chiral recognition mechanism of thiaheteroheliene molecules; Grad. Sch. of Eng. Osaka Univ., Fac. of Phys. and Appl. Inform. Univ. of Lodz^A, Eng.Fac. of Systems Eng. Wakayama Univ.^B; Changqing Ye, Takuma Hattori, Yuji Hamamoto, Pawel Krukowski^A, Akira Saito, Hideji Osuga^B, Yoshitada Morikawa, Yuji Kuwahara
9: チタン水素化物における水素サイトへの同位体効果; 東大生研^A, 筑波大数理^B, 東工大物質理工学院^C, 阪大院工^D, 原子力機構先端研^E; 小澤孝拓^A, 岸奈津子^B, 関場大一郎^B, 小松遊矢^C, 清水亮太^C, 一杉太郎^C, 山内邦彦^D, 濱田幾太郎^D, 福谷克之^{A, E}
10: RHEEDによる2x2-C₂H₂ -Ni(111)の構造決定精度; 東大生研^A, 電大工^B, 原研先端基礎^C; 川村隆明^{A, B}, 小倉正平^B, 深谷有喜^C, 福谷克之^{A, C}
11: W-RHEEDによるSi(110)3x2-Sbの構造解析; 東北大多元研, 東北大SRIS^A; リハクガン, 青山大晃, 虻川匡司^A

23日 J1会場　23pJ1　13:30〜16:45

領域9，領域5，領域10
先端量子ビームを用いた表面科学研究の最前線

1: （一般シンポジウム講演）はじめに; 東大物性研; 土師将裕
2: （一般シンポジウム講演）雰囲気制御光電子分光による表面反応過程のその場観測; 京大理; 小板谷貴典
3: （一般シンポジウム講演）放射光軟X線顕微オペランドXPSによる局所界面分析; 物材機構光・量子ビーム応用分野; 永村直佳
4: （一般シンポジウム講演）フェムト秒時間分解光電子分光/顕微鏡による有機半導体表面のキャリアダイナミクス観測; 大阪公立大学; 渋田昌弘
5: （一般シンポジウム講演）電気化学探針増強ラマン分光の現状と周辺技術の開発動向; 理研; 横田泰之

休憩　（15:15〜15:30)

6: （一般シンポジウム講演）量子状態選別分子ビームによる白金ステップ表面でのO2吸着、CO酸化反応解析; 物材機構極限計測分野; 倉橋光紀
7: （一般シンポジウム講演）低速陽電子ビームを用いた電子遷移誘起イオン脱離; 立教大学; 立花隆行
8: （一般シンポジウム講演）陽電子ビームを用いた表面・二次元物質の構造決定; 原子力機構; 深谷有喜

24日 J1会場　24aJ1　9:15〜12:30

領域9
原子層物質
（電子物性）

1: Si(111)√3×√3-Ag 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態; 東工大物質理工, 東大物性研^A, 東工大理^B; 長尾俊佑, 大内拓実, 瓜生瞳美, 織田孝幸, 飯盛拓嗣^A, 小森文夫, 中辻寛, 平山博之^B
2: Si(111)表面上のインジウム3原子層構造の電子状態; 京大院理; 八田振一郎, 湯川恵介, 黒石健太, 村田朋香, 奥山弘, 有賀哲也
3: Ni(111)上の単層ホウ素薄膜の電子状態と構造解析; 九大総理工, 佐賀大SLセ^A; 中川剛志, Xiaobin Chen, 山本勇^A, 高橋和敏^A
4: 鎖状ホウ素を含む基板上二次元ホウ素化合物の電子状態の研究; 東大物性研, 産総研 CD-FMat^A, 分子研 UVSOR^B, 筑波大数理^C; 辻川夕貴, 中嶋武^A, 堀尾眞史, Xiaoni Zhang, 和田哲也, 宮本将成, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 田中清尚^B, 安藤康伸^A, 近藤剛弘^C, 松田巌
5: H-SiC上の単原子層Sb薄膜の高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, JST-PRESTO^C, 東北大CSIS^D, 東北大SRIS^E; 八重樫健^A, 川上竜平^A, 菅原克明^{A, B, C}, 高橋隆^A, 佐藤宇史^{A, B, D, E}
6: 機械学習によるAg(111)表面上シリセンの大域的構造探索; 阪大院工; 濱本雄治, Thanh Ngoc Pham, 森川良忠

休憩　（10:45〜11:00)

7: SiC(0001)基板上に成長したグラフェンへのFeインターカレーション; 東工大物質理工, 東大物性研^A, KEK - PF^B, 東工大理^C; 竹村晃一, 片野達貴, 河添理央, Insung Seo, 飯盛拓嗣^A, 小森文夫, 小澤健一^B, 間瀬一彦^B, 合田義弘, 平山博之^C, 中辻寛
8: Caがインターカレートした2層グラフェンにおけるCa-3d軌道の価電子帯への寄与; 東工大理, 分子研UVSOR^A; 一ノ倉聖, 豊田雅之, 德田啓, 田中清尚^A, 斎藤晋, 平原徹
9: Cu表面上グラフェン・hBNヘテロ構造CVD成長におけるエッジ終端起源の理論探求; 島根大院自然科学, NTT物性基礎研^A, 関西学院大工^B; 影島博之, Shengnan Wang^A, 日比野浩樹^B
^●10: Design and development of UHV chambers for low energy positron diffraction experiment at the Slow Positron Facility in KEK; High Energy Accelerator Res. Org. (KEK); Rezwan Ahmed, Izumi Mochizuki, Tetshuroh Shirasawa, Yoshiya Kondo, Seigi Mizuno, Tohsio Hyodo, Ken Wada
11: 時間依存密度汎関数理論による2次元材料のレーザー照射下のダイナミクス; 産総研; 宮本良之
12: ヘリングボーン格子模型を用いた2次元トポロジカル電子状態のホモトピー解析; 産総研, 東大物性研^A, 筑波大^B; 安藤康伸, Xiaoni Zhang^A, 辻川夕貴^A, 佐藤祐輔^A, 堀尾眞史^A, 春山潤^A, 杉野修^A, 近藤剛弘^B, 松田巌^A

24日 D1会場　24pD1　13:45〜16:45

領域4（6〜7番目のみ領域7，領域8，領域9と合同）
トポロジカル物質（実験）

1: 強磁場領域における半金属薄膜の量子Sondheimer効果; 東大物性研; 長田俊人, 足立洋駿, 田縁俊光, Andhika Kiswandhi
2: TaAsにおける不規則性と磁気輸送特性; 量研, 京大^A, 阪大^B, 産総研^C; 河裾厚男, 須田理行^A, 村川寛^B, 天田春代, 鈴木智広, 満汐孝治^C, 宮下敦巳, 前川雅樹, 瀬古典明, 山本春也, 大島永康^C, 関修平^A, 花咲徳亮^B
3: スピン・バレー結合したバルク極性ディラック半金属BaMnX₂(X=Sb，Bi)の非相反電気伝導; 阪大院理^A, 東北大金研^B; 近藤雅起^A, 酒井英明^{A, B}, 木俣基^B, 須藤健太^B, 越智正之^A, 金子竜也^A, 黒木和彦^A, 阪口駿也^A, 村川寛^A, 花咲徳亮^A
4: 磁性ワイル半金属EuCd₂Sb₂薄膜における磁気抵抗の特徴変化; 東工大理, 東大工^A; 中村彩乃, 西早辰一, 大野瑞貴^A, 渡辺悠斗, 川﨑雅司^A, 打田正輝
5: Pb(Bi,Sb)₂Te₄トポロジカル絶縁体のInドープによるバルク絶縁体化; 東大生研; 川合淳也, 徳本有紀, 枝川圭一

休憩　（15:00〜15:15)

6: ノード鎖金属β-ReO₂の量子振動による電子構造の解明; 名大院工, 東大物性研^A, 物材機構^B, 阪大CSRN^C; 平井大悟郎, 安倍崇仁^A, 鴻池貴子^B, 寺嶋太一^B, 宇治進也^B, 石川孟^A, 金道浩一^A, 片山尚幸, 小口多美夫^C, 広井善二^A
7: ノーダルライン半金属候補物質IrO₂の電子状態の解明; 名大院工, 物材機構^A; 丸山寛太, 平井大悟郎, 中村優斗, 岸田英夫, 竹端寛治^A, 今中康貴^A, 竹中康司
8: 単斜晶系NbTe₂の超伝導・トポロジカル特性評価; 東工大フロンティア研; 福岡諒, 笹川崇男
9: AB積層結晶の表面近傍電子状態におけるらせん対称性の破れ; 東大物性研, 東工大フロンティア研^A, JASRI^B, 東大生産研^C, 広島大先進理工^D, 広島大WPI-SKCM2^E; 田中宏明, 岡崎尚太^A, 小林賢^A, 福島優斗, 新井陽介, 飯盛拓嗣, Mikk Lippmaa, 山神光平^B, 小谷佳範^B, 小森文夫^C, 黒田健太^{D, E}, 笹川崇男^A, 近藤猛
10: 新規トポロジカル絶縁体候補物質CdGeAs₂のARPES; 東北大院理^A, JSTさきがけ^B, 東北大WPI-AIMR^C, 東北大CSIS^D, 分子研UVSOR^E, 高エ研物構研^F, 量研機構^G, 東北大多元研^H, 京産大物理^I, 東北大SRIS^J; 岩谷拓実^A, 守谷歩美^A, 中山耕輔^A, 本間飛鳥^A, 加藤剛臣^A, 川上竜平^A, 菅原克明^{A, B, C}, 相馬清吾^{C, D}, 田中清尚^E, 北村未歩^F, 堀場弘司^{F, G}, 組頭広志^H, 高橋隆^A, 瀬川耕司^I, 佐藤宇史^{A, C, D, J}
11: 極低温高磁場走査型トンネル顕微鏡によるトポロジカル絶縁体表面ランダウ準位波動関数の可視化; 物材機構, 東大生産研^A; 吉澤俊介, 服部裕也, 枝川圭一^A, 鷺坂恵介

24日 J1会場　24pJ1　13:30〜16:40

領域9
光計測・分光

1: DNAで被覆した単層カーボンナノチューブを珪藻土に複合させた発光マイクロデバイスの作製; 東理大, フューチャーアース研究所^A; 井出祐貴, 松川雄二^A, 梅村和夫
2: STM発光によるキラルPTCDI分子の円偏光発光特性の評価; 阪大工, 和歌山大シス工^A; 服部卓磨, 鈴木凌, 齋藤彰, 大須賀秀次^A, 桑原裕司
3: インジウム超薄膜中の量子井戸準位を介したSTM誘起発光の観測; 京大院理; 黒石健太, 湯川恵介, 奥山弘, 八田振一郎, 有賀哲也
4: 分子動力学法を用いた水界面における2次非線形感受率の計算; 東大物性研; 田部直哉, 春山潤, 杉野修
5: Pt(111)/表面H₂O吸着層の二次非線形感受率の第一原理計算; 東大物性研, 分子研^A, JSTさきがけ^B; 春山潤, 杉本敏樹^{A, B}, 杉野修
6: ヘテロダイン検出和周波発生振動分光によるPt(553)上氷薄膜の界面構造; 京大院理; 長塚直樹, 柴田昂, 渡邊一也
7: 単結晶表面上の分子吸着種の非線形ラマン分光観測; 分子研^A, 総研大^B, 理研^C, JSTさきがけ^D; 鶴岡和幸^A, 野口直樹^B, 櫻井敦教^{A, B, C}, 杉本敏樹^{A, B, C, D}

休憩　（15:15〜15:30)

8: （若手奨励賞）若手奨励賞選考報告および授賞式; 東大院理; 常行真司
9: （若手奨励賞）時間分解光電子分光および磁気円二色性分光を用いたカルコゲン化合物の電子状態の研究; 原研; 角田一樹
10: （若手奨励賞）表面反応におけるエネルギーの流れと制御因子の研究; 筑波大数物系; 武安光太郎

25日 J1会場　25aJ1　9:00〜12:00

領域9（9〜10番目のみ領域3と合同）
表面界面物性
（水素吸着・トポロジカル物性）

^●1: Hydrogen diffusion in metastable Platinum hydride (PtH_x) thin film; Univ. of Tokyo-IIS^A, JAEA-ASRC^B, Tokyo Inst. Tech.-SMCT^C; S. S. Das^{A, 1*}, T. Ozawa^{A, 2*}, Y. Komatsu^C, R. Shimizu^C, T. Hitosugi^C and K. Fukutani^{A, B}
2: ジョセフソン電流の追跡による超伝導体内への低温水素吸蔵現象の観測; 九大院工; 太子周, 宮川一慶, 芳賀雄仁, 志賀雅亘, 河江達也
3: Bi₂Se₃薄膜表面の水素吸着・吸蔵状態評価; 東大生研^A, 原子力機構先端研^B; 大橋悠生^A, 小澤孝拓^A, 植田寛和^B, Markus Wilde^A, 福谷克之^{A, B}
4: 移　　動
5: スピン分解ARPESによる超薄膜Sb/Bi/Si(111)ヘテロ構造の電子スピン状態; 早大先進理工, 広大放射光^A; 阿部浩子, 有田将司^A, 宮本幸治^A, 奥田太一^A, ^○高山あかり
6: 磁性トポロジカル絶縁体MnBi₂Te₄サンドイッチ構造の電子構造とその温度依存性; 東工大理, 分子研UVSOR^A; 石原和宜, 出高志朗, 一ノ倉聖, 田中清尚^A, 平原徹

休憩　（10:15〜10:30)

7: 磁性体表面上からの光誘起脱離原子のスピン移行観測; 農工大工, 東大生研^A, 原子力機構^B; 田邊直樹, 浅川寛太, 河内泰三^A, 福谷克之^{A, B}, 畠山温
8: スピン蓄積Pt表面から光誘起脱離Rb原子へのスピン移行の探索; 農工大工, 東大工^A, 東大BAI^B, 東北大AIMR^C; 谷悠志, 浅川寛太, 齊藤英治^{A, B, C}, 畠山温
^●9: Magnetic interaction between three-dimensional pyramids with ferromagnetic nano-film; NAIST, Osaka Univ.^A, Akita Univ.^B; Juharni, Liliany N. Pamasi, Nobuyoshi Hosoito, Ni'matil Mabarro, Azusa N. Hattori^A, Ai I. Osaka^A, Hidekazu Tanaka^A, Satoru Yoshimura^B, and Ken Hattori
10: 10原子層厚Cr(001)薄膜のスピン偏極STM観察; 大阪教育大, 阪大産研^A; 川越毅, 菅滋正^A
11: 超伝導表面に吸着した有機分子スピンのSTM/STS観察; 千葉大院工, マドリード自治大IMDEA^A, 九大^B; 山田豊和, 市川稜, Nana Nazriq, Cosme Gonzalez^A, Amadeo L. Vazquez de Parga^A, 松田健志郎^B, Albrecht Ken^B
12: 位相的データ解析による磁区構造形成過程の機序解明; 統数研^A, JASRI^B, お茶大理^C; 本武陽一^A, 水牧仁一朗^B, 工藤和恵^C, 福水健次^A