日本物理学会第78回年次大会（2023年）

1: ホールドープされた表面モット絶縁体の試料評価と電子状態測定; 東工大理; 西道広海, 加来滋, 一ノ倉聖, 平原徹
2: 絶縁体基板上に蒸着させたMn薄膜の界面観察; 金沢大物理, 金沢大総合技術^A; 森山曉栄, 島村一利^A, Nona Avena Purba, 小畑由紀子, 吉田靖雄
3: 導電性高分子(P3HT)薄膜の結晶成長過程－溶媒および基板表面モフォロジーの影響－; 関学大院理工; 大曽根遼, 高橋功
4: 表面修飾による非占有バンドチューニング; 国立陽明交通大学, 日大文理^A, 物材機構MANA^B; Pratyay Amrit, Chun-Liang Lin, 石田浩^A, ^○荒船竜一^B
5: MBE法によるCaF₂基板上へのCuClサブミクロン薄膜の作製; 滋賀県大工; 小倉達貴, 一宮正義, 番貴彦, 柳澤淳一
6: 高結晶品質GaP薄膜の成膜法の検討と表面構造評価; 滋賀県大工; 山本純也, 一宮正義, 番貴彦, 柳澤淳一
7: 金ナノ粒子-酸化チタン-金属薄膜積層構造の作製とテラヘルツ帯での光学評価; 徳島大pLED^A, 神戸大^B; 柳谷伸一郎^A, 笠井康平^A, 太田薫^B, 冨永圭介^B, 古部昭広^A
8: 生分解性高分子PHB薄膜の結晶成長過程と配向性に及ぼす水素結合の効果; 関学大院・理工; 花田智紀, 大曽根遼, 高橋功
9: Si(111)基板上のインジウム超薄膜のエピタキシャル成長における格子整合性; 京大院理; 八田振一郎, 村田朋香, 黒石健太, 奥山弘, 有賀哲也
10: 水蒸気の凝縮核生成および結晶化モデル; 東北大理, 北大低温研^A; 田中今日子, 木村勇気^A
11: MnPc吸着によるBi₂Se₃とTlBiSe₂の電子状態変化; 阪大院工, 広大放射光セ^A, 広大院先進理^B, WPI-SKCM2^C; 板谷亮太, 樋口裕紀, 西岡知希, 冨田実都, 佐藤仁^A, 黒田健太^{B, C}, 坂本一之
12: Ybインターカレートグラフェンの電子構造と電気伝導特性; 東大理, 広大放射光セ^A; 佐藤瞬亮, 秋山了太, 皆川遼太朗, 宮井雄大^A, Yogendra Kumar^A, Amit Kumar^A, 鄭帝洪, 出田真一郎^A, 島田賢也^A, 長谷川修司
13: 磁性有機分子吸着による原子層合金の電子状態への影響; 阪大院工, 佐大シンクロ^A; 高桑奏弦, 戸市裕一朗, 安田江莉花, 山本勇^A, 坂本一之
14: 有機分子を吸着させた原子層超伝導体In/Si(111)-(√7×√3)の電子状態; 阪大院工; 馬地蒼士郎, 稲垣俊輔, 西岡知希, 坂本一之
15: 2原子層タリウムの隠れたスピン偏極電子バンド; 阪大院工, 千葉大院工^A, NIMS^B, Chalmers Univ. of Tech.^C, CNR-IOM^D, 東大物性研^E, Univ. of Wisconsin-Milwaukee^F; 戸市裕一朗, 小林宇宏, 中田慶隆^A, 岩岡睦生^A, 八百板裕智^A, 矢治光一郎^B, Yasmine Sassa^C, 藤井純^D, 吉田靖雄^E, 長谷川幸雄^E, 獅子堂達也^F, Michael Weinert^F, 坂本一之
16: トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃の3次元バルクバンド構造の決定; 阪大院応物, 阪大院マテ^A, 広大先進理^B, WPI-SKCM2^C, 広大放射光セ^D; 樋口裕紀, 板谷亮太, 冨田実都, 齋藤悠宇^A, 鈴木雄大^A, 黒田健太^{B, C}, 佐藤仁^D, 佐藤和則^A, 坂本一之
^●17: マイクロARPESにより得られたトポロジカル物質ホウ化水素のディラックノーダルフェルミオンの兆候; 東大物性研, 筑波大数理^A, 高エネ研PF^B, 産総研 CD-FMat^C, 九州大^D; Xiaoni Zhang, 宮本将成, 辻川夕貴, 山口寛月, 堀尾眞史, Mei Yuan^A, 小澤健一^B, 安藤康伸^C, 湯葢邦夫^D, 近藤剛弘^A, 松田巌
18: 多探針局所直流計測及び高周波交流計測による鉄系プルシアンブルー類似体微結晶の電気伝導度評価; 山梨大工; 榎本就, 前田一樹, 佐藤裕貴, 白木一郎
19: ディラックハーフメタル候補物質グラフェン/Mn/SiCの作製の試みとその電子状態測定; 東工大理, 分子研UVSOR^A; 德田啓, 一ノ倉聖, 田中清尚^A, 平原徹
20: β-Ga2O3の表面欠陥由来カソードルミネッセンスピークの低視射角領域での角度依存性; 奈良先端大; 奥村勇斗, 市川涼太, 武田さくら
^●21: Photoelectron spectroscopy of surface-controlled three-dimensionally fabricated Si{111} facet-line structures; Nara Inst. of Sci. and Technol., Osaka Univ.^A, Dalian Jiaotong Univ.^B, UVSOR, Inst. for Mol. Sci.^C; Ni`matil Mabarroh, Juharni, Yuki Ida, Wataru Imayama, Yasunari Kimoto, Yoshihiro Kitagawa, Liliany N. Pamasi, HaoBang Yang, Yuya Sakai, Tomoya Shimizu, Wang Runcheng^B, FangZhun Guo^B, Kiyohisa Tanaka^C, Shigemasa Suga^A, Shin-ichiro Tanaka^A, Azusa N. Hattori^A, Hidekazu Tanaka^A, and Ken Hattori
22: アナターゼ/ルチル界面における光触媒活性向上の起源：光触媒活性とバンドベンディングの相関; 広島大先進理工, KEK 物構研 PF^A, 総研大^B; 廣森慧太, 中島伸夫, 下山絢女, 長谷川巧, 和田真一, 高橋修, 間瀬一彦^{A, B}, 小澤健一^{A, B}
23: 低温水素吸蔵により作製した超伝導PdHx薄膜の電気抵抗測定; 九大院工, 九大院理^A; 加藤遼馬, 吉田展一朗, 飯森陸^A, 志賀雅亘, 木村崇^A, 河江達也
24: 非負値行列因子分解によるSiC基板上に成長したグラフェンの光電子スペクトルの分析; 佐賀大シンクロトロン; 今村真幸, 高橋和敏
^●25: STM Study of Platinum Diselenide Synthesis on Pt(111); Nat'l. Sun Yat-sen Univ., Univ. of Tokyo^A; Yen Cheng Pai, Masahiro Haze^A, Chien Cheng Kuo, Yukio Hasegawa^A
26: Pt(111)基板上のX-Ti-O (X=Ce,Yb)準結晶関連構造超薄膜の創製と構造評価; 名大工; 李旭, 柚原淳司
27: HOPGを用いた立体表面粗さとRHEEDスポットプロファイルの相関の解明; 奈良先端大, 阪大産研^A, 米子高専^B; 北川喜宏, Juharni, 井田有紀, 服部梓^A, 田中秀和^A, 桃野浩樹^B, 服部賢
28: RHEEDによるSi(110)16x2構造解析Ⅰ; 東北大多元研, 東北大国際放射光^A; リハクガン, 青山大晃, 山本孟, 虻川匡司^A
29: 軽元素修飾したトポロジカル超伝導体Fe(Se,Te)の超伝導転移温度への影響; 東大理物; 清水翔太, 秋山了太, 保原麗, 長谷川修司
30: 拡張探索空間で見出された実測サブバンド準位を満たすSi(001)p型反転層形状; 奈良先端大, 東北大^A, 阪大^B, 東工大^C; 市川涼太, Brian Godwin Lim, 湯川龍^A, 比嘉友大, 奥村勇斗, Renzo Tan, 池田和司, 坂本一之^B, 筒井一生^C, 武田さくら
31: グラフェンへの銀原子の吸着状態とクラスタ形成; 京大院理; 山本大貴, 山本修也, ^○奥山弘, 八田振一郎, 有賀哲也
32: α-Al₂O₃上に蒸着した自己組織化単分子膜の電子状態; 和歌山大シス工; 車谷朋寛, 小田将人
33: 第一原理分子動力学法に基づくグラフェンの水素エッチングの微細機構Ⅱ; 熊大院自然, 熊大院先端^A, アンリツ先端研^B; 寿柳龍太郎, 島村孝平^A, 高良明英, 原正大^A, 松井朋裕^B, 下條冬樹^A
34: 金電極におけるVolmer過程の反応速度計算; 東大物性研; 片岡佑太, 春山潤, 杉野修
35: ダイヤモンドの光誘起黒鉛化に関する第一原理的研究; 東北大金研, 熊大院先端^A, 熊大院自然^B, 南カリフォルニア大^C; 福島省吾, 島村孝平^A, 高良明英^B, 下條冬樹^A, Aiichiro Nakano^C, Rajiv K. Kalia^C, Priya Vashishta^C
36: 第一原理計算によるゲルマニウム極薄膜結晶の磁性に関する研究; 名大院工, 名大未来研^A, 名大理^B; 石原大樹, 洗平昌晃^A, 山影相^B, 白石賢二^A
37: TiO₂表面における水分子のダイナミクス; 岩手大理工; 山内拓, 長谷川正之, 西館数芽
38: Ba₂PrBiO₆の表面における水分子のダイナミクス; 岩手大理工, 物材機構^A; 田中亮佑, 松川倫明, 松下明行^A, 長谷川正之, 西館数芽
39: Ta₃N₅の表面反応性; 岩手大理工; 阿部光希, 長谷川正之, 西館数芽
40: Pt表面における水分子のダイナミクス; 岩手大理工; 岡田真央, 長谷川正之, 西館数芽
41: Cu(111)上CVDグラフェンのナノ加工及び表面観察; 熊大院自然, 熊大理^A, アンリツ先端研^B, 九大GIC^C, 熊大院先端^D, 熊大産ナノ研^E; 黒木玲央, 田中奎伍^A, 柿添勇成^A, 吉田裕紀^A, 松井朋裕^B, 吾郷浩樹^C, 原正大^{D, E}
42: Si(111)表面上のインジウム3原子層からなる√7×√3 構造; 福岡大工; 鈴木孝将, 柳生数馬
43: SrTiO₃(100)表面上に成長させたPd微粒子のSTM/STS観察; 北大理; 笠井椋太, Park Gwangseo, 江田拓己, 山田英毅, 荒川誠, 松山秀生
44: SrTiO₃(100)-(√5x√5)-R26.6°再構成面のSTM/STS観察; 北大理; 山田英毅, 江田拓己, 笠井椋太, 荒川諒, 松山秀生
^●45: Nanostencil-fabricated electrode for electron transport of atomically thin film in Ultrahigh vacuum; NIMS, 北大理; Wenxuan QIAN, 内橋隆

領域別プログラム

ポスターセッション